г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON3611 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON3611
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN, Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (3x3)

Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON3611.jpg
8-SMD, Flat Lead
8-DFN (3x3)
2.1W, 2.5W
N and P-Channel, Common Drain
Logic Level Gate
30V
5A, 6A
50mOhm @ 5A, 10V
2.5V @ 250µA
10nC @ 10V
785-1570-1,785-1570-2,785-1570-6,AON3611-ND
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
170pF @ 15V

AON3611 является транзистором MOSFET, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Вот некоторая информация о его характеристиках:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1(2.5) W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать мощность до указанного значения без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V. Это минимальное напряжение, которое необходимо приложить к затвору для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5(6) A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может безопасно работать.
Все эти характеристики являются важными для выбора и использования транзистора AON3611 в различных электронных устройствах и схемах.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IXGR40N60B2
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 60A 167W ISOPLUS247, IGBT PT 600 V 60 A 167 W Through Hole ISOPLUS247™
Подробнее
Артикул: 2280200-R
Бренд: Microchip Technology
Описание: ADAPTEC I-RA-HDMSAS-MSAS-.8M,
Подробнее
Артикул: MD918B
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 15V 50mA 600MHz 2W Through Hole TO-78-6
Подробнее
Артикул: FDPF12N50UT
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F, N-Channel 500 V 10A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: CAD32P7
Бренд: WEC
Описание: CAD32P7,
Подробнее