г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON4421 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON4421
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN, P-Channel 30 V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN (3x2)

Цена
42 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON4421.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
8A (Ta)
26mOhm @ 8A, 10V
1.8V @ 250µA
21 nC @ 10 V
1120 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (3x2)
8-SMD, Flat Lead
AON4421-ND,785-1573-1,785-1573-2,785-1573-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.5W (Ta)

AON4421 является MOSFET транзистором типа P. MOSFET (МОП-транзистор) является полупроводниковым устройством, используемым в электронных схемах для управления и усиления сигналов.
Ниже представлены основные технические характеристики AON4421:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W. Это означает, что максимальная мощность, которую этот транзистор может расеивать без перегрева, составляет 2.5 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это означает, что максимальное напряжение между стоком и истоком транзистора не должно превышать 30 В.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это означает, что максимальное напряжение между затвором и истоком транзистора не должно превышать 20 В.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.8 V. Это означает, что для включения транзистора необходимо приложить напряжение на затворе, превышающее 1.8 В.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 8 A. Это означает, что максимальный постоянный ток, который может протекать через сток транзистора, составляет 8 А.
В целом, AON4421 MOSFET транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление или усиление сигналов с использованием транзистора типа P.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1305-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: IXTN36N50
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B, N-Channel 500 V 36A (Tc) 400W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: 30455-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: MMBT2222A
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT SOT-23 40V 600MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: TMS-RJS-RIBBON-4RPSCE
Бренд: TE Connectivity
Описание: RIBBON BLK RESIN THERMAL TRANSFR,
Подробнее
Артикул: MTP20N15E
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 20A TO220AB, N-Channel 150 V 20A (Tc) 112W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее