г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON4421 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON4421
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN, P-Channel 30 V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN (3x2)

Цена
42 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON4421.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
8A (Ta)
26mOhm @ 8A, 10V
1.8V @ 250µA
21 nC @ 10 V
1120 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (3x2)
8-SMD, Flat Lead
AON4421-ND,785-1573-1,785-1573-2,785-1573-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.5W (Ta)

AON4421 является MOSFET транзистором типа P. MOSFET (МОП-транзистор) является полупроводниковым устройством, используемым в электронных схемах для управления и усиления сигналов.
Ниже представлены основные технические характеристики AON4421:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W. Это означает, что максимальная мощность, которую этот транзистор может расеивать без перегрева, составляет 2.5 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это означает, что максимальное напряжение между стоком и истоком транзистора не должно превышать 30 В.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это означает, что максимальное напряжение между затвором и истоком транзистора не должно превышать 20 В.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.8 V. Это означает, что для включения транзистора необходимо приложить напряжение на затворе, превышающее 1.8 В.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 8 A. Это означает, что максимальный постоянный ток, который может протекать через сток транзистора, составляет 8 А.
В целом, AON4421 MOSFET транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление или усиление сигналов с использованием транзистора типа P.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IDH16G65C5XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: 0910-60M
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW, RF Transistor NPN 65V 8A 890MHz ~ 1GHz 180W Chassis Mount 55AW
Подробнее
Артикул: DMN6140L-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23, N-Channel 60 V 1.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BLF989
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET, RF Mosfet - - - - -
Подробнее
Артикул: 1N4448WS-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323, Diode Standard 75 V 250mA Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: 1280-10-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STAINLESS STEE, Round Spacer Unthreaded - Stainless Steel 0.313" (7.94mm) -
Подробнее