г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON4605 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON4605
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.3A, 3.4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON4605.jpg
8-DFN (3x2)
1.9W
N and P-Channel
Logic Level Gate
30V
4.3A, 3.4A
50mOhm @ 4.3A, 10V
2.5V @ 250µA
5nC @ 10V
8-SMD, Flat Lead
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
210pF @ 15V

AON4605 является MOSFET-транзистором, производимым компанией Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, который используется в широком спектре электронных устройств для управления электрическими сигналами.
Некоторые основные характеристики AON4605:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 В. Это значение указывает на напряжение, которое необходимо приложить к затвору, чтобы транзистор начал проводить ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.3(3.4) A. Это значение указывает на максимальный допустимый ток, который может протекать через сток транзистора.
Это лишь некоторые из основных характеристик транзистора AON4605. Он может быть использован во множестве электронных устройств, таких как источники питания, усилители, преобразователи энергии и другие, где требуется управление сигналами и мощностью.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MDMA700P1600CC
Бренд: IXYS
Описание: BIPOLAR MODULE - DIODE COMPACK, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600 V 700A Chassis Mount ComPack
Подробнее
Артикул: IRF510
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB, N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC847CTT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN GP 45V 100MA SC75-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: FAST SPEED IGBT, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 40CPQ040
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO247AC, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 20A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: AUIRFS4010
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее