г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON4807 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON4807
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON4807.jpg
8-DFN (3x2)
1.9W
2 P-Channel (Dual)
Logic Level Gate
30V
4A
68mOhm @ 4A, 10V
2.3V @ 250µA
10nC @ 10V
8-SMD, Flat Lead
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
290pF @ 15V

AON4807 представляет собой MOSFET-транзистор (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с полярностью P (положительной). Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN2X3.
Ниже приведены основные технические характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V. Это напряжение, необходимое для активации транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при правильном использовании.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута внутри канала транзистора без ущерба для его работоспособности.
Транзистор AON4807 может быть использован в различных электронных устройствах, где требуется коммутация или усиление сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 7225-B-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX THUMB NUTS CLEAR ZINC9/16HEX, 1/4"-20 Thumb Nut 0.563" (14.29mm) Brass
Подробнее
Артикул: IPD60R600P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3, N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SCTW100N65G2AG
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SICFET N-CH 650V 100A HIP247, N-Channel 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™
Подробнее
Артикул: 1101-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/8 RD X 3/16 X .090 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: 1415-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM3/8 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: BAW156
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 85 V 140mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее