г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON4807 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON4807
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON4807.jpg
8-DFN (3x2)
1.9W
2 P-Channel (Dual)
Logic Level Gate
30V
4A
68mOhm @ 4A, 10V
2.3V @ 250µA
10nC @ 10V
8-SMD, Flat Lead
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
290pF @ 15V

AON4807 представляет собой MOSFET-транзистор (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с полярностью P (положительной). Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN2X3.
Ниже приведены основные технические характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V. Это напряжение, необходимое для активации транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при правильном использовании.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута внутри канала транзистора без ущерба для его работоспособности.
Транзистор AON4807 может быть использован в различных электронных устройствах, где требуется коммутация или усиление сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQPF8N60C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F, N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 0573-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS1/4HD X, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 912-16MM
Бренд: Bivar
Описание: ROUND SPACER NYLON 16MM, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.630" (16.00mm) Natural
Подробнее
Артикул: IRG4BC15UD-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 49W D2PAK, IGBT - 600 V 14 A 49 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: STGW15H120DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 259 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1221-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее