г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON4807 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON4807
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON4807.jpg
8-DFN (3x2)
1.9W
2 P-Channel (Dual)
Logic Level Gate
30V
4A
68mOhm @ 4A, 10V
2.3V @ 250µA
10nC @ 10V
8-SMD, Flat Lead
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
290pF @ 15V

AON4807 представляет собой MOSFET-транзистор (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с полярностью P (положительной). Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN2X3.
Ниже приведены основные технические характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V. Это напряжение, необходимое для активации транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при правильном использовании.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута внутри канала транзистора без ущерба для его работоспособности.
Транзистор AON4807 может быть использован в различных электронных устройствах, где требуется коммутация или усиление сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1365-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: IRFP044NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC, N-Channel 55 V 53A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRFZ44ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAW156
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 85 V 140mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MBRF1060
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 10A 60V ITO220AC, Diode Schottky 60 V 10A (DC) Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: BC847C,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее