г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON4807 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON4807
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON4807.jpg
8-DFN (3x2)
1.9W
2 P-Channel (Dual)
Logic Level Gate
30V
4A
68mOhm @ 4A, 10V
2.3V @ 250µA
10nC @ 10V
8-SMD, Flat Lead
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
290pF @ 15V

AON4807 представляет собой MOSFET-транзистор (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с полярностью P (положительной). Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN2X3.
Ниже приведены основные технические характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V. Это напряжение, необходимое для активации транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при правильном использовании.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута внутри канала транзистора без ущерба для его работоспособности.
Транзистор AON4807 может быть использован в различных электронных устройствах, где требуется коммутация или усиление сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SC-45-F
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-13/16" STEEL SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: BYV27-200-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57, Diode Avalanche 200 V 2A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: IKCM15H60GAXKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULES 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: FQD7N20LTM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: HB-1000
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее
Артикул: MMBT2907A-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее