г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6144 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6144
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN, N-Channel 40 V 100A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
310 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6144.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
40 V
100A (Tc)
2.4mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
3780 pF @ 20 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
800-3746-1,800-3746-6,800-3746-2
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
78W (Tc)

AON6144 является транзистором MOSFET типа N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полупроводниковое устройство, используемое для управления и переключения электрического сигнала.
Вот некоторые характеристики транзистора AON6144:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 В. Это максимальное разрешенное напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это максимальное разрешенное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора.
Транзистор AON6144 имеет корпус типа DFN5X6 от компании Alpha & Omega Semiconductor. Корпус DFN (Dual Flat No-leads) представляет собой малогабаритный корпус без выводов, который обеспечивает компактность и удобство монтажа. Размеры корпуса DFN5X6 составляют примерно 5 мм x 6 мм.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STN1N20
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223, N-Channel 200 V 1A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: AH08DA-5C
Бренд: Delta Electronics
Описание: 8AO(CURRENT), Output Module Backplane 20.4 ~ 28.8VDC
Подробнее
Артикул: MUR160RLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1131-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: IRF9532
Бренд: Harris
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET, P-Channel 100 V 10A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MURS120-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее