г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6144 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6144
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN, N-Channel 40 V 100A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
310 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6144.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
40 V
100A (Tc)
2.4mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
3780 pF @ 20 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
800-3746-1,800-3746-6,800-3746-2
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
78W (Tc)

AON6144 является транзистором MOSFET типа N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полупроводниковое устройство, используемое для управления и переключения электрического сигнала.
Вот некоторые характеристики транзистора AON6144:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 В. Это максимальное разрешенное напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это максимальное разрешенное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора.
Транзистор AON6144 имеет корпус типа DFN5X6 от компании Alpha & Omega Semiconductor. Корпус DFN (Dual Flat No-leads) представляет собой малогабаритный корпус без выводов, который обеспечивает компактность и удобство монтажа. Размеры корпуса DFN5X6 составляют примерно 5 мм x 6 мм.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CLF1G0060-30
Бренд: Rochester Electronics
Описание: CLF1G0060-30 - 30W BROADBAND RF, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: BC848BMTF
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: DGP30-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.5KV 3A DO201AD, Diode Standard 1500 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: BSS84PWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3, P-Channel 60 V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: 1117-2-B-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC3/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" Clear
Подробнее
Артикул: BAT54JFILM
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 300MA SOD323, Diode Schottky 40 V 300mA (DC) Surface Mount SOD-323
Подробнее