г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6160 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6160
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN, N-Channel 60 V 100A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
273 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6160.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
100A (Tc)
1.58mOhm @ 20A, 10V
3.4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
7790 pF @ 30 V
10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
AlphaSGT™
Tape & Reel (TR)
Last Time Buy
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
215W (Tc)

AON6160 является транзистором MOSFET, производства компании Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет полярность N, что означает, что он работает с отрицательными напряжениями.
Вот некоторые характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 215 W. Это указывает на максимальное количество энергии, которое транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V. Это означает, что максимальное напряжение между стоком и истоком транзистора не должно превышать 60 В.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это указывает на максимальное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.4 V. Это минимальное напряжение, которое необходимо подать на затвор транзистора для его активации.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора при заданных условиях.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдержать канал транзистора без повреждений.
Все эти характеристики позволяют определить, как и где можно использовать транзистор AON6160 в различных электронных схемах и приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N6621US
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF, Diode Standard 440 V 1.2A Surface Mount A-MELF
Подробнее
Артикул: AUIRF1404ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK, N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: TIP33C
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 10A TO218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 10 A 3MHz 80 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: STPS61L60CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 30A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: TZMC4V7-M-18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD80, Zener Diode 4.7 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Подробнее
Артикул: IRL540
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB, N-Channel 100 V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее