г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6206 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6206
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/24A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 24A (Tc) 4.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6206.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 24A (Tc)
6.5mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
1670 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1400-6,785-1400-2,785-1400-1
4.2W (Ta), 31W (Tc)

AON6206 представляет собой MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - тип транзистора, который обладает полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет корпус типа DFN5X6.
Некоторые характеристики AON6206 включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 31 Вт тепла при нормальной работе.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 В. Это напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 24 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком при заданных условиях.
Транзистор AON6206 предназначен для использования в различных электронных схемах и устройствах, где требуется коммутация высоких токов и низкоесопротивление включенного состояния. Например, он может применяться в источниках питания, силовых ключах, преобразователях постоянного тока, инверторах и других подобных приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FN-834
Бренд: GC Electronics
Описание: 4-40 X 3/4 NYL FILLESTER SC,
Подробнее
Артикул: SM4007
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD MELF 1000V 1A, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: FDP2710
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3, N-Channel 250 V 50A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MBRF2060CT
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 10A ITO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее
Артикул: DB15-01
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: 3PH BRIDGE DB 100V 25A, Bridge Rectifier Three Phase Standard 100 V Chassis Mount DB-35
Подробнее
Артикул: VS-MBRB20100CTPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 10A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее