г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6206 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6206
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/24A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 24A (Tc) 4.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6206.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 24A (Tc)
6.5mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
1670 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1400-6,785-1400-2,785-1400-1
4.2W (Ta), 31W (Tc)

AON6206 представляет собой MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - тип транзистора, который обладает полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет корпус типа DFN5X6.
Некоторые характеристики AON6206 включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 31 Вт тепла при нормальной работе.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 В. Это напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 24 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком при заданных условиях.
Транзистор AON6206 предназначен для использования в различных электронных схемах и устройствах, где требуется коммутация высоких токов и низкоесопротивление включенного состояния. Например, он может применяться в источниках питания, силовых ключах, преобразователях постоянного тока, инверторах и других подобных приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: A3T18H360W23SR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: 1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2, RF Mosfet LDMOS 28 V 700 mA 1.8GHz ~ 1.88GHz 16.6dB 63W ACP-1230S-4L2S
Подробнее
Артикул: 2SA1303
Бренд: Sanken
Описание: TRANS PNP 150V 14A TO3P, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 14 A 50MHz 125 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: MTP6P20E
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 200V 6A TO220AB, P-Channel 200 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1467-25-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: 128-80-ST
Бренд: J.W. Winco
Описание: STEEL WELDABLE HINGE, DETACHABLE, Concealed Hinge Steel Zinc
Подробнее
Артикул: STPS10L25D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO220AC, Diode Schottky 25 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее