г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6206 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6206
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/24A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 24A (Tc) 4.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6206.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 24A (Tc)
6.5mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
1670 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1400-6,785-1400-2,785-1400-1
4.2W (Ta), 31W (Tc)

AON6206 представляет собой MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - тип транзистора, который обладает полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет корпус типа DFN5X6.
Некоторые характеристики AON6206 включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 31 Вт тепла при нормальной работе.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 В. Это напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 24 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком при заданных условиях.
Транзистор AON6206 предназначен для использования в различных электронных схемах и устройствах, где требуется коммутация высоких токов и низкоесопротивление включенного состояния. Например, он может применяться в источниках питания, силовых ключах, преобразователях постоянного тока, инверторах и других подобных приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: KSE45H11
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 10A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 40MHz 1.67 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: VS-15TQ060-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AC, Diode Schottky 60 V 15A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 1N5403
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD, Diode Standard 300 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: FQPF17P06
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F, P-Channel 60 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BFP450H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4, RF Transistor NPN 5V 100mA 24GHz 450mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее
Артикул: 2N5794U
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее