г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6226 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6226
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN, N-Channel 100 V 48A (Tc) 108W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
107 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6226.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
100 V
48A (Tc)
7.9mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 250µA
60 nC @ 10 V
3130 pF @ 50 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
AlphaSGT™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
108W (Tc)

AON6226 - это MOSFET транзистор, производства компании Alpha & Omega Semiconductor.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, который использует полупроводниковую структуру с металлическим оксидом и управляется полем. Он обеспечивает управление током через свои выводы с помощью напряжения на затворе.
Основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) для этого транзистора составляет 108 Вт, что означает, что он может безопасно рассеивать до 108 Вт энергии.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|) составляет 100 В, что означает, что транзистор может безопасно работать при напряжении сток-исток до 100 В.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|) составляет 20 В, что означает, что напряжение между затвором и истоком не должно превышать 20 В.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|) составляет 2,3 В, что означает, что транзистор начинает проводить ток при напряжении затвора выше 2,3 В.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|) составляет 48 А, что означает, что транзистор может безопасно пропускать постоянный ток стока до 48 А.
Тип корпуса для этого транзистора - DFN5X6, что означает, что он имеет корпус типа DFN с размерами 5 мм х 6 мм.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ML-1813
Бренд: WEC
Описание: T-3 1/4 MINBAY-14.4V-RADIO,
Подробнее
Артикул: SMBJ5340B-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE ZENER 6V 5W DO214AA, Zener Diode 6 V 5 W ±5% Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: SS310L
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SUB SMA, Diode Schottky 100 V 3A Surface Mount Sub SMA
Подробнее
Артикул: 2SC6082
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 50V 15A TO-220ML, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 15 A 195MHz 2 W Through Hole TO-220ML
Подробнее
Артикул: MUR820G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Diode Standard 200 V 8A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: 1264-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее