г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6242 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6242
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 60V 18.5A/85A 8DFN, N-Channel 60 V 18.5A (Ta), 85A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
408 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6242.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
18.5A (Ta), 85A (Tc)
3.6mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
6370 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1335-2,785-1335-1,785-1335-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.3W (Ta), 83W (Tc)

AON6242 является MOSFET-транзистором типа N-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус DFN5X6.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это означает, что транзистор может выдерживать мощность до 83 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 В. Это ограничение указывает на максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 В. Это значение определяет минимальное напряжение на затворе, при котором начинается проводимость между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 А. Это означает, что транзистор может пропускать постоянный ток до 85 А без повреждений.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдерживать канал транзистора без ухудшения его характеристик.
Все эти характеристики определяют спецификации и возможности транзистора AON6242 и могут быть полезны при разработке и проектировании электронных схем, где требуется использование MOSFET-транзисторов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FR107GTA
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE GPP 1KV 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: VS-MUR3020WT-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247AC, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 15A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: DTD114EKT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее
Артикул: 6CWQ10FNTR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 3.5A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Подробнее
Артикул: GBPC1504
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V QC Terminal GBPC
Подробнее
Артикул: 1N4624
Бренд: Microchip Technology
Описание: VOLTAGE REGULATOR, Zener Diode 4.7 V 500 mW ±5% Through Hole DO-7 (DO-204AA)
Подробнее