г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6246 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6246
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 60V 13A/80A 8DFN, N-Channel 60 V 13A (Ta), 80A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6246.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
13A (Ta), 80A (Tc)
6.4mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
3420 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1337-6,Q8309516,785-1337-1,785-1337-2
2.3W (Ta), 83W (Tc)

AON6246 является транзистором MOSFET типа N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет корпус типа DFN5X6.
Некоторые из характеристик AON6246:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 83 ватт тепла при нормальной работе.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V. Это максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V. Это напряжение определяет минимальное значение напряжения на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A. Это максимальное значение тока, который может протекать через сток транзистора при нормальной работе.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура, которую можно применять к транзистору без превышения его спецификаций.
AON6246 - это мощный MOSFET-транзистор с высоким токовым и напряженным потенциалом. Он может быть использован во многих приложениях, включая электронику мощных устройств, источники питания и преобразователи энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1415-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: IRFP32N50KPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3, N-Channel 500 V 32A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 7137-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN BRASS7/16 HD X 5, #10-32 Knob Thumb Screw - Drive Brass
Подробнее
Артикул: MBRB2080CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 80 V Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: CM200DU-24F
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 890W, IGBT Module Trench Half Bridge 1200 V 200 A 890 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: DTB143TKT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее