г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6280 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6280
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN, N-Channel 80 V 17A (Ta), 85A (Tc) 7.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
456 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6280.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
80 V
17A (Ta), 85A (Tc)
4.1mOhm @ 20A, 10V
3.2V @ 250µA
82 nC @ 10 V
3930 pF @ 40 V
6V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1338-6,Q10721432,785-1338-1,785-1338-2
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
7.3W (Ta), 83W (Tc)

AON6280 является MOSFET транзистором, изготовленным компанией Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Металл-Оксид-Полупроводниковый Полевой Транзистор) является типом полевого транзистора, который обладает полярностью N (отрицательная).
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 83 Вт энергии, чтобы избежать повреждения.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V. Это предельно допустимое напряжение между стоком (drain) и истоком (source) транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Это предельно допустимое напряжение между затвором (gate) и истоком (source) транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.2 V. Это минимальное напряжение затвора, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток транзистора.
Транзистор AON6280 предоставляет комбинацию высокой мощности, высокого тока и низкого сопротивления сток-исток. Он может использоваться в различных электронных устройствах и системах, где требуется управление электрическими сигналами и мощностью.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MUN5214DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: IXFH12N120P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD, N-Channel 1200 V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Подробнее
Артикул: BAT60JFILM
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323, Diode Schottky 10 V 3A (DC) Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: BAT6203WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOD323, RF Diode Schottky - Single 40V 20 mA 100 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: RSQ035P03TR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6, P-Channel 30 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Подробнее
Артикул: MTZJT-7710B
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 10V 500MW MSD, Zener Diode 10 V 500 mW ±3% Through Hole MSD
Подробнее