AON6314 Alpha & Omega Semiconductor

AON6314 представляет собой MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый транзистор) с полярностью N (отрицательной). MOSFETы являются основными элементами полупроводниковых устройств и широко используются в электронике.
Ниже приведены характеристики AON6314:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32.5 W. Это означает, что транзистор может рассеивать тепло с мощностью до 32.5 Вт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 V. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2 V. Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 A. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может нормально работать.
AON6314 может использоваться в различных приложениях, требующих управления током и напряжением, таких как источники питания, преобразователи постоянного тока, электронные схемы управления и другие электронные устройства.