г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6324 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6324
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN, N-Channel 30 V 85A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
N-Channel
-
30 V
85A (Tc)
2.1mOhm @ 20A, 10V
2.1V @ 250µA
28 nC @ 4.5 V
2719 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
8-PowerVDFN
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
83W (Tc)

AON6324 является MOSFET-транзистором, предназначенным для работы в режиме силового усиления в электронных схемах. Он имеет следующие характеристики:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 32.5 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может потерять в виде тепла при работе в нормальных условиях.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное допустимое напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 12 В. Это максимальное допустимое напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток и исток транзистора.
5. Максимальная рабочая температура структуры (Tj): 150 °C. Это максимальная допустимая температура для нормальной работы транзистора.
Эти характеристики указывают на то, что транзистор AON6324 подходит для применения в схемах, требующих высоких токов и низкого сопротивления включенного состояния, таких как силовые усилители, импульсные источники питания и другие приложения, где требуется эффективное управление мощностью.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SIHG20N50C-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC, N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SMBJ4734/TR13
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 5.6V 2W SMBJ, Zener Diode 5.6 V 2 W ±10% Surface Mount SMBJ (DO-214AA)
Подробнее
Артикул: 2N3820
Бренд: Central Semiconductor
Описание: JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92, JFET P-Channel 20 V 360 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1350-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: 1003-125-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: PANEL SCREW RETAINERPLAIN STEEL3,
Подробнее
Артикул: BAT54CW-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее