г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6324 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6324
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN, N-Channel 30 V 85A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
N-Channel
-
30 V
85A (Tc)
2.1mOhm @ 20A, 10V
2.1V @ 250µA
28 nC @ 4.5 V
2719 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
8-PowerVDFN
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
83W (Tc)

AON6324 является MOSFET-транзистором, предназначенным для работы в режиме силового усиления в электронных схемах. Он имеет следующие характеристики:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 32.5 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может потерять в виде тепла при работе в нормальных условиях.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное допустимое напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 12 В. Это максимальное допустимое напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток и исток транзистора.
5. Максимальная рабочая температура структуры (Tj): 150 °C. Это максимальная допустимая температура для нормальной работы транзистора.
Эти характеристики указывают на то, что транзистор AON6324 подходит для применения в схемах, требующих высоких токов и низкого сопротивления включенного состояния, таких как силовые усилители, импульсные источники питания и другие приложения, где требуется эффективное управление мощностью.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FGA25S125P-SN00337
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 1250 V 50 A 250 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: NTE2329
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 200V 15A TO3PBL, Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 15 A 25MHz 150 W Through Hole TO-3PBL
Подробнее
Артикул: 6937-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN STEEL3/8HD X, #10-32 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Steel
Подробнее
Артикул: 2N6675
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: CSD87330Q3D
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: TIP41C
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 100V 6A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A - 65 W Through Hole TO-220
Подробнее