AON6372 Alpha & Omega Semiconductor

AON6372 является транзистором MOSFET с полярностью N, производства компании Alpha & Omega Semiconductor. Он имеет следующие характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 26 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать, чтобы избежать повреждения.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую транзистор может выдержать без повреждений.
Транзистор AON6372 является высоковольтным N-канальным MOSFET и может использоваться в различных приложениях, включая силовые усилители, источники питания и коммутационные схемы.