г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6403 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6403
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN, P-Channel 30 V 21A (Ta), 85A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
162 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6403.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
21A (Ta), 85A (Tc)
3.1mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
196 nC @ 10 V
9120 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1339-6,785-1339-2,785-1339-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.3W (Ta), 83W (Tc)

AON6403 является MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), а его полярность - P-канальная. MOSFET - это полевой транзистор, используемый для управления и усиления электрических сигналов.
Некоторые характеристики AON6403:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать в виде тепла при работе.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком (истоком) и истоком (стоком) транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это минимальное напряжение, необходимое на затворе транзистора, чтобы он начал проводить электрический ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при работе.
Общая информация о транзисторе AON6403 указывает на его способность управлять большими токами при относительно низком сопротивлении и хорошей эффективности рассеивания тепла. Он может быть применен в различных схемах и устройствах, включая усилители мощности, источники питания, переключатели и другие электронные устройства, где требуется управление током и напряжением.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ZMM5239B
Бренд: Rectron
Описание: DIO ZENER GLASS 9.1V 500MW LL-34, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Surface Mount LL-34
Подробнее
Артикул: IRFS4610PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK, N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: ES1D-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: 1226-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: IRG4PC30SPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRG4PC30 - TRANS IGBT CHIP N-CH, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLR7843TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK, N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее