г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6403 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6403
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN, P-Channel 30 V 21A (Ta), 85A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
162 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6403.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
21A (Ta), 85A (Tc)
3.1mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
196 nC @ 10 V
9120 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1339-6,785-1339-2,785-1339-1
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.3W (Ta), 83W (Tc)

AON6403 является MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), а его полярность - P-канальная. MOSFET - это полевой транзистор, используемый для управления и усиления электрических сигналов.
Некоторые характеристики AON6403:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать в виде тепла при работе.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком (истоком) и истоком (стоком) транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это минимальное напряжение, необходимое на затворе транзистора, чтобы он начал проводить электрический ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при работе.
Общая информация о транзисторе AON6403 указывает на его способность управлять большими токами при относительно низком сопротивлении и хорошей эффективности рассеивания тепла. Он может быть применен в различных схемах и устройствах, включая усилители мощности, источники питания, переключатели и другие электронные устройства, где требуется управление током и напряжением.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJE182
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее
Артикул: TP65H070LDG
Бренд: Transphorm
Описание: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN, N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Подробнее
Артикул: 1567-A-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: NDP6060
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3, N-Channel 60 V 48A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SP-5-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5/16" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: IRF730
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL, MOSFET, N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее