г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6405 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6405
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN, P-Channel 30 V 15A (Ta), 30A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6405.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
15A (Ta), 30A (Tc)
7mOhm @ 20A, 10V
1.6V @ 250µA
105 nC @ 10 V
5500 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1340-1,785-1340-2,785-1340-6,AON6405L
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.5W (Ta), 83W (Tc)

AON6405 представляет собой MOSFET (МОП-транзистор) с P-каналом управления. Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Он предназначен для использования в электронных устройствах, где требуется управление высокими токами и напряжениями.
Некоторые характеристики и параметры AON6405:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 83 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может поглощать без перегрева.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 1.6 В. Это напряжение, при котором начинается проводимость между стоком и истоком транзистора.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 30 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор между стоком и истоком.
6. Максимальная рабочая температура стыка (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать надежно.
AON6405 обладает характеристиками, которые позволяют эффективно управлять высокими токами и напряжениями, что делает его полезным компонентом для различных приложений, включая силовую электронику, источники питания и другие устройства, где требуется высокая производительность MOSFET-транзисторов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSD214SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: MM3Z39VT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 39V 300MW SOD323, Zener Diode 39 V 300 mW ±5% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: IXFP110N15T2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB, N-Channel 150 V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BC557B,126
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: PET-7H16M
Бренд: ICP DAS
Описание: ETHERNET HIGH SPEED DATA ACQUISI, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 12 ~ 48VDC
Подробнее
Артикул: N50-02
Бренд: American Hakko Products
Описание: NOZZLE, 1.0MM, EXT. FR-300, 817/,
Подробнее