г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6406 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6406
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 25A/170A 8DFN, N-Channel 30 V 25A (Ta), 170A (Tc) 2.3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6406.jpg
N-Channel
-
30 V
25A (Ta), 170A (Tc)
2.3mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
5200 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.3W (Ta), 110W (Tc)

AON6406 является MOSFET-транзистором с полярностью N (отрицательный тип). Он предназначен для использования в электронных устройствах и электронных схемах.
Некоторые характеристики AON6406 включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 170 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток транзистора.
Общая информация о транзисторе AON6406 позволяет инженерам и разработчикам выбрать и использовать его в различных электронных схемах, таких как источники питания, силовые ключи, контроллеры моторов и других приложениях, где требуется управление электрическим током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ELS-2-B
Бренд: Curtis Industries
Описание: CONTROL LIQ LEVEL 240VAC CHASSIS, Liquid Level Controller High/Low Level SPDT (1 Form C) 240VAC Chassis Mount
Подробнее
Артикул: IRFL024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223, N-Channel 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: MJE350
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR PNP .5A 300V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: STP110N7F6
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220, N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MJ21194G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 16A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: SBL4060PT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO3P, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 40A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Подробнее