г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6406 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6406
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 25A/170A 8DFN, N-Channel 30 V 25A (Ta), 170A (Tc) 2.3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6406.jpg
N-Channel
-
30 V
25A (Ta), 170A (Tc)
2.3mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
5200 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.3W (Ta), 110W (Tc)

AON6406 является MOSFET-транзистором с полярностью N (отрицательный тип). Он предназначен для использования в электронных устройствах и электронных схемах.
Некоторые характеристики AON6406 включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 В. Это минимальное напряжение, которое необходимо применить между затвором и истоком для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 170 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток транзистора.
Общая информация о транзисторе AON6406 позволяет инженерам и разработчикам выбрать и использовать его в различных электронных схемах, таких как источники питания, силовые ключи, контроллеры моторов и других приложениях, где требуется управление электрическим током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQPF6N70
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F, N-Channel 700 V 3.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 1561-D-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: BAT42WS-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: 1N4448
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE DO-35 100V 0.2A 4NS, Diode Standard 75 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: SISS10DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S, N-Channel 40 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Подробнее
Артикул: BUK6D120-60PX
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN, P-Channel 60 V 3A (Ta), 8A (Tc) 2.3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Подробнее