г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6410 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6410
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 10A/24A 8DFN, N-Channel 30 V 10A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6410.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
10A (Ta), 24A (Tc)
12mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
1452 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1135-1,785-1135-6,785-1135-2
2W (Ta), 35W (Tc)

AON6410 является MOSFET-транзистором, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет следующие характеристики:
Тип транзистора: MOSFET (Металл-оксид-полевой транзистор)
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 Вт - это максимальная мощность, которую транзистор может эффективно расеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 В - это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 В - это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 В - это напряжение, при котором транзистор начинает проводить значительный ток через себя.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 А - это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора без повреждения.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C - это максимальная температура, которую транзистор может выдерживать без перегрева.
Транзистор AON6410 MOSFET имеет широкий спектр применений, включая использование в коммутационных схемах, усилителях мощности, источниках питания, силовых преобразователях и других электронных устройствах, где требуется управление и переключение больших токов и напряжений.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFR3910TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: DSS4160U-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 60V 1A SOT-323, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 150MHz 400 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: 1N1124
Бренд: Solid State
Описание: DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER, Diode Standard 200 V 12A Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: IXGR40N60B2D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 60A 167W ISOPLUS247, IGBT PT 600 V 60 A 167 W Through Hole ISOPLUS247™
Подробнее
Артикул: 1N5246B
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: BUK7Y41-80EX
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56, N-Channel 80 V 25A (Tc) 64W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Подробнее