г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6411 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6411
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN, P-Channel 20 V 47A (Ta), 85A (Tc) 7.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
303 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6411.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
20 V
47A (Ta), 85A (Tc)
2.1mOhm @ 20A, 10V
1.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
10290 pF @ 10 V
2.5V, 10V
±12V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1495-2,785-1495-1,785-1495-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
7.3W (Ta), 156W (Tc)

AON6411 представляет собой MOSFET транзистор типа P. Этот транзистор может быть использован в различных электронных устройствах, таких как силовые блоки, преобразователи постоянного тока, инверторы и другие приложения, где требуется управление мощностью.
Основные характеристики включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) составляет 156 Вт. Это указывает на максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|) равно 20 В. Это означает, что максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора, составляет 20 В.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|) составляет 12 В. Это указывает на максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|) составляет 1.3 В. Это означает, что затвор-исток напряжение должно быть равно или превышать 1.3 В для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|) составляет 85 А. Это указывает на максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора без повреждения.
Транзистор поставляется в корпусе типа DFN5X6, предлагаемом компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот корпус обеспечивает компактность и хорошую тепловую эффективность для устройств, в которых он может быть использован.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXUV170N075
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 75V 175A PLUS220, N-Channel 75 V 175A (Tc) - Through Hole PLUS220
Подробнее
Артикул: SBR20A60CTFP
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SBR 60V 10A ITO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 60 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее
Артикул: BAS21UE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 250MA SC74-6, Diode Array 3 Independent Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: STPS20170CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 170 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2V7002LT1G
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 1163-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее