г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6411 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6411
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN, P-Channel 20 V 47A (Ta), 85A (Tc) 7.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
303 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6411.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
20 V
47A (Ta), 85A (Tc)
2.1mOhm @ 20A, 10V
1.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
10290 pF @ 10 V
2.5V, 10V
±12V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1495-2,785-1495-1,785-1495-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
7.3W (Ta), 156W (Tc)

AON6411 представляет собой MOSFET транзистор типа P. Этот транзистор может быть использован в различных электронных устройствах, таких как силовые блоки, преобразователи постоянного тока, инверторы и другие приложения, где требуется управление мощностью.
Основные характеристики включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) составляет 156 Вт. Это указывает на максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|) равно 20 В. Это означает, что максимальное напряжение, которое можно применить между стоком и истоком транзистора, составляет 20 В.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|) составляет 12 В. Это указывает на максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|) составляет 1.3 В. Это означает, что затвор-исток напряжение должно быть равно или превышать 1.3 В для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|) составляет 85 А. Это указывает на максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора без повреждения.
Транзистор поставляется в корпусе типа DFN5X6, предлагаемом компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот корпус обеспечивает компактность и хорошую тепловую эффективность для устройств, в которых он может быть использован.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX79-C3V6,143
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 3.6V 400MW ALF2, Zener Diode 3.6 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: RFD16N05LSM
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA, N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 1491-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM3/4 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: FG2010
Бренд: Keene Village Plastics
Описание: PLA 3MM TRNSLCNT RED 1KG REEL, 3D Printing Filament Translucent (Red) PLA (Polylactide) 0.113" (2.88mm) 2.205 lb (1.00 kg)
Подробнее
Артикул: MBR2035CT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее