г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6414AL Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6414AL
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN, N-Channel 30 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6414AL.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
13A (Ta), 30A (Tc)
8mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
1380 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-VDFN Exposed Pad
-
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AON6414
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.3W (Ta), 31W (Tc)

Транзистор MOSFET AON6414AL является N-канальным MOSFET-транзистором, производимым компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Вот основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальное напряжение сток-исток (Uси): 30 В. Это максимальное допустимое напряжение между стоком (drain) и истоком (source) транзистора.
2. Максимальный ток сток-исток при 25°C (Iси макс.): 13 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток транзистора при комнатной температуре.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (Uзи макс.): 20 В. Это максимальное допустимое напряжение между затвором (gate) и истоком транзистора.
4. Сопротивление канала в открытом состоянии (Rси вкл. (Max)) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/20 А, 10 В. Это сопротивление канала транзистора, когда он находится в полностью открытом состоянии (fully on) и протекает ток 20 А при напряжении 10 В. Чем ниже это значение, тем меньше потери мощности и тепла возникают при прохождении тока через транзистор.
5. Максимальная рассеиваемая мощность (Pси макс.): 2.3 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
6. Вес: 0.4 г. Это вес одного транзистора данной модели.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронных устройствах и системах управления мощностью. Они могут быть использованы для управления током и напряжением в различных приложениях, включая источники питания, преобразователи постоянного тока, электронные ключи и другие устройства.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FZT1151ATA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 40V 3A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 145MHz 2.5 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: SI4840BDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO, N-Channel 40 V 19A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MMSZ5245C-G3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123, Zener Diode 15 V 500 mW ±2% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: IRFU420
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA, N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Подробнее
Артикул: 1516-A-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL3/1, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: MJD112T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее