г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6426 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6426
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 14A/65A 8DFN, N-Channel 30 V 14A (Ta), 65A (Tc) 2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6426.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
14A (Ta), 65A (Tc)
5.5mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
2300 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1345-1,785-1345-2,785-1345-6
2W (Ta), 42W (Tc)

AON6426, производства компании Alpha & Omega Semiconductor, является MOSFET-транзистором с типом управляющего канала N-каналом.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 42 Вт. Это означает, что максимальная мощность, которую транзистор может поглотить без перегрева, составляет 42 Вт.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2.5 В. Это напряжение, при котором начинается проводимость между стоком и истоком транзистора.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 65 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор при заданном напряжении стока-исток.
6. Максимальная рабочая температура перехода (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без повреждений.
Транзистор AON6426 упакован в корпус DFN5X6. Этот корпус обеспечивает защиту и удобство монтажа для данного компонента.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAT54XV2T5G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: NTS-19
Бренд: Essentra Components
Описание: HEX STANDOFF M4 NYLON 3/4", Hex Standoff Threaded M4 Nylon 0.750" (19.05mm) 3/4" Natural
Подробнее
Артикул: IPB033N10N5LFATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: 2N7002DW
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Подробнее
Артикул: IRFI640G
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3, N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SI7149DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8, P-Channel 30 V 50A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее