г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6428 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6428
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 11A/43A 8DFN, N-Channel 30 V 11A (Ta), 43A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6428.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
11A (Ta), 43A (Tc)
10mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
17.8 nC @ 10 V
770 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1346-2,785-1346-1,AON6428L,785-1346-6
2W (Ta), 30W (Tc)

AON6428 - это MOSFET-транзистор, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Этот транзистор имеет полярность N, что означает, что он является N-канальным MOSFET-транзистором.
Ниже приведены характеристики транзистора AON6428:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором начинается включение транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 43 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать надежно.
Транзистор AON6428 является низкочастотным N-канальным MOSFET-транзистором с низким сопротивлением канала и способен обрабатывать высокие токи при небольших потерях мощности. Он может использоваться во многих электронных устройствах и системах, включая усилители мощности, коммутационные схемы и преобразователи энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBR5200VPBTR-E1
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27, Diode Schottky 200 V 5A Through Hole DO-201
Подробнее
Артикул: MDO500-12N1
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU, Diode Standard 1200 V 560A Chassis Mount Y1-CU
Подробнее
Артикул: MRFX035HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V, RF Mosfet LDMOS 65 V 15 mA 1.8MHz ~ 512MHz 24.8dB 35W NI-360H-2SB
Подробнее
Артикул: 1N3260
Бренд: Powerex
Описание: DIODE GEN PURP 50V 160A DO205AB, Diode Standard 50 V 160A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Подробнее
Артикул: 3084-K
Бренд: Davies Molding
Описание: 32MM M6X1-6G THERMOPLASTIC BAR/T, Smooth Knob Shaft with No Indicator Phenolic Black
Подробнее
Артикул: IXTH130N15X4
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 150V 130A TO247, N-Channel 150 V 130A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее