г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6435 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6435
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN, P-Channel 30 V 12A (Ta), 34A (Tc) 4.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
49 руб.
Теги
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Дискретные полупроводниковые приборы, Discrete Semiconductor Products
files/AON6435.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
-
30 V
12A (Ta), 34A (Tc)
17mOhm @ 20A, 10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
1400 pF @ 15 V
5V, 10V
±25V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
AON6435-ND,785-1575-1,785-1575-2,785-1575-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
4.1W (Ta), 31W (Tc)

AON6435 - это MOSFET-транзистор, который относится к типу P-канал. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, транзистор с полевым эффектом на основе металл-оксид-полупроводник) является электронным устройством, используемым для управления и усиления сигналов.
Основные технические характеристики AON6435:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 31 Вт. Это максимальное количество энергии, которое можно потерять в транзисторе без повреждения.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 25 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 3 В. Это напряжение, необходимое для обеспечения минимального уровня затворного тока и установления активного режима работы транзистора.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 34 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная рабочая температура перехода (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может надежно функционировать.
Эти технические характеристики позволяют использовать AON6435 в различных электронных устройствах, где требуется управление мощностью и сигналами.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DB152S
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: BRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DB-S, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Surface Mount DB-S
Подробнее
Артикул: IRL40SC228
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK, N-Channel 40 V 557A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: 0466-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STAINLESS STE, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: BZX55C7V5
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO-34, Zener Diode 7.5 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2SC4696-AN
Бренд: onsemi
Описание: NPN 0.5A 80V DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: PS21963-4S
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 600V 10A SUPERMINIDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm)
Подробнее