AON6435 Alpha & Omega Semiconductor

AON6435 - это MOSFET-транзистор, который относится к типу P-канал. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, транзистор с полевым эффектом на основе металл-оксид-полупроводник) является электронным устройством, используемым для управления и усиления сигналов.
Основные технические характеристики AON6435:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 31 Вт. Это максимальное количество энергии, которое можно потерять в транзисторе без повреждения.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 25 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 3 В. Это напряжение, необходимое для обеспечения минимального уровня затворного тока и установления активного режима работы транзистора.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 34 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная рабочая температура перехода (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может надежно функционировать.
Эти технические характеристики позволяют использовать AON6435 в различных электронных устройствах, где требуется управление мощностью и сигналами.