г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6444 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6444
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 60V 14A/81A 8DFN, N-Channel 60 V 14A (Ta), 81A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6444.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
14A (Ta), 81A (Tc)
6.5mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
96 nC @ 10 V
5800 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
SDMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1227-6,785-1227-1,785-1227-2
2.3W (Ta), 83W (Tc)

AON6444 является транзистором MOSFET. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус типа DFN5X6.
Некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.5 В. Это минимальное напряжение, необходимое для активации транзистора и начала его проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 81 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор при заданных условиях.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута внутри канала транзистора без нанесения повреждений.
Все эти характеристики определяют возможности и ограничения транзистора AON6444 и могут быть использованы при разработке и анализе электронных схем и устройств, в которых этот транзистор может быть применен.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STB34N65M5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK, N-Channel 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: KBP206G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: BZV55C12
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: SI2301BDS-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BMP21-TOOL
Бренд: Brady
Описание: BMP21/BMP21-PLUS ASSY FLASHLIGHT,
Подробнее
Артикул: BLF2425M9L30U
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A, RF Mosfet LDMOS 32 V 20 mA 2.45GHz 18.5dB 30W CDFM2
Подробнее