г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6458 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6458
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 250V 2.2A/14A 8DFN, N-Channel 250 V 2.2A (Ta), 14A (Tc) 2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6458.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
250 V
2.2A (Ta), 14A (Tc)
170mOhm @ 10A, 10V
4.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
1240 pF @ 25 V
10V
±30V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1363-2,785-1363-1,785-1363-6
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-50°C ~ 150°C (TJ)
2W (Ta), 83W (Tc)

AON6458 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе DFN5X6.
Вот некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без превышения допустимых температур.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 250 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4.5 В. Это минимальное напряжение, необходимое для включения транзистора и установки его в активное состояние.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 14 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которая может быть достигнута внутри канала транзистора без повреждений.
Транзистор AON6458 обладает высокой мощностью рассеивания, сравнительно низким сопротивлением и умеренными значениями напряжений и токов, что делает его подходящим для широкого спектра приложений, требующих управления высокими токими и напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX84C3V6
Бренд: onsemi
Описание: ZENER DIODE, 3.6V, 5%, 0.25W, UN, Zener Diode 3.6 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: STP170N8F7
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220, N-Channel 80 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MCL-18-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 18 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: IRF7204TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: MBR1060
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC, Diode Schottky 60 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: MM3Z3V3B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: ZENER DIODE, 3.3V, 2%, 0.2W, UNI, Zener Diode 3.3 V 200 mW ±2% Surface Mount SOD-323F
Подробнее