г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6502 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6502
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN, N-Channel 30 V 49A (Ta), 85A (Tc) 7.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6502.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
49A (Ta), 85A (Tc)
2.2mOhm @ 20A, 10V
2V @ 250µA
64 nC @ 10 V
3430 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1576-1,785-1576-2,785-1576-6,AON6502-ND
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Not For New Designs
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
7.4W (Ta), 83W (Tc)

AON6502, производимый компанией Alpha & Omega Semiconductor, является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он предназначен для использования в электронных схемах и обладает следующими характеристиками:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W. Эта характеристика указывает на максимальную мощность, которую транзистор может расеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это значение определяет максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Эта характеристика определяет максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 V. Это значение указывает на минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 A. Эта характеристика определяет максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
Транзистор AON6502 представляет собой компонент, который может использоваться для управления и переключения электрических сигналов в различных электронных устройствах и системах, включая источники питания, усилители, схемы управления и другие приложения, где требуется управление электрическим током.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SD2389
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 150V 8A TO3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150 V 8 A 80MHz 80 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: BZX84-B12,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 12V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: MPSA44
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT TO-92 400V 300MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 300 mA - 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: NTS-19
Бренд: Essentra Components
Описание: HEX STANDOFF M4 NYLON 3/4", Hex Standoff Threaded M4 Nylon 0.750" (19.05mm) 3/4" Natural
Подробнее
Артикул: BAV16W-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123, Diode Standard 100 V 300mA (DC) Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: FF75R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 395W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 75 A 395 W Chassis Mount Module
Подробнее