г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6508 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6508
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN, N-Channel 30 V 29A (Ta), 32A (Tc) 4.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
241 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6508.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
29A (Ta), 32A (Tc)
3.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
49 nC @ 10 V
2010 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1365-2,785-1365-1,785-1365-6
4.2W (Ta), 41W (Tc)

AON6508 является MOSFET-транзистором типа N. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это тип полевого транзистора, который обладает высоким сопротивлением на входе и низким сопротивлением на выходе.
Вот основные характеристики AON6508:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W. Это означает, что транзистор может выдерживать максимальную мощность в 41 Ватт без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 V. Это предельное напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это предельное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 V. Это минимальное напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 32 A. Это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора при определенных условиях.
Транзистор AON6508 может быть использован в различных электронных устройствах, где требуется управление током или напряжением.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STB76NF80
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK, N-Channel 80 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1110-2-B-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC3/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) Clear
Подробнее
Артикул: RS1J-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: UES803
Бренд: Microchip Technology
Описание: RECTIFIER, Diode Standard 150 V 70A Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: BAV199T-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT523, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 85 V 125mA (DC) Surface Mount SOT-523
Подробнее
Артикул: IRFP460PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3, N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее