AON6512 Alpha & Omega Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN, N-Channel 30 V 54A (Ta), 150A (Tc) 7.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
AON6512 является транзистором MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с полярностью N. MOSFET является одним из основных типов полевых транзисторов, используемых в электронике.
Вот некоторая информация о параметрах и характеристиках:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это означает, что максимальная мощность, которую транзистор может эффективно рассеивать без перегрева, составляет 83 Вт.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 В. Это предельное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора без повреждения.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это предельное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора без повреждения.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 В. Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора и начала проводимости между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток транзистора без повреждения.
Эти параметры и характеристики помогают оценить возможности и ограничения транзистора AON6512 и использовать его в соответствии с требованиями электрических схем и приложений, где такой транзистор может быть применен.
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут