г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6538 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6538
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N CH 30V 30A 8DFN, N-Channel 30 V 30A (Ta), 75A (Tc) 5.6W (Ta), 35.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6538.jpg
N-Channel
-
30 V
30A (Ta), 75A (Tc)
4mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
1315 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
5.6W (Ta), 35.5W (Tc)

AON6538 является MOSFET-транзистором с полярностью N, что означает, что это транзистор с положительным напряжением на затворе относительно истока.
Некоторые характеристики этого транзистора включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35.5 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это значение ограничивает максимальное напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это значение указывает на максимальное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 В. Это значение представляет напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 75 А. Это значение ограничивает максимальный ток, который может протекать через транзистор от стока к истоку.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронике для управления током в схемах посредством изменения напряжения на затворе. Они обладают высокой эффективностью и низким внутренним сопротивлением, что делает их полезными для множества приложений, включая усилители, источники питания, преобразователи и другие устройства.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQD11P06TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK, P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: APT80GA60B
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 600V 143A 625W TO247, IGBT PT 600 V 143 A 625 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: 1361-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: NGTB25N120FL3WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 100A TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 349 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRFH7914TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56, N-Channel 30 V 15A (Ta), 35A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: MRF8S18120HSR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF L BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE, RF Mosfet
Подробнее