г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6554 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6554
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N CH 30V 36A 8DFN, N-Channel 30 V 36A (Ta), 85A (Tc) 5.6W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6554.jpg
N-Channel
-
30 V
36A (Ta), 85A (Tc)
2.9mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
65 nC @ 10 V
3020 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
5.6W (Ta), 70W (Tc)

AON6554 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN5X6.
Ниже приведены основные технические характеристики транзистора AON6554:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 Вт. Это означает, что транзистор может рассеивать до 70 Вт энергии без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это минимальное напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток транзистора при заданных условиях работы.
Транзистор AON6554 предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется управление большими токами и низкими потерями энергии.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI7846DP-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8, N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: MJE13005G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 4MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1292-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: BC817-25LT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 500MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRFP140N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC, N-Channel 100 V 33A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1N4001-G
Бренд: Comchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее