г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6590 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6590
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN, N-Channel 40 V 67A (Ta), 100A (Tc) 7.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
226 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6590.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
40 V
67A (Ta), 100A (Tc)
0.99mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
8320 pF @ 20 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
7.3W (Ta), 208W (Tc)

AON6590 является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN5X6.
Некоторые основные технические характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 40 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 V. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.3 V. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 100 A. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдерживать канал транзистора без повреждений.
Эти характеристики позволяют оценить применение транзистора AON6590 в различных электронных схемах, таких как усилители мощности, источники питания, силовые ключи и другие приложения, где требуется управление большими токами и напряжениями.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX79C39
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 39V 500MW DO35, Zener Diode 39 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: IRF6811STRPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT, N-Channel 25 V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric SQ
Подробнее
Артикул: IRFB4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFD9024PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP, P-Channel 60 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: GBPC3510W
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: IRF620PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB, N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее