г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6594 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6594
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 22A/35A 8DFN, N-Channel 30 V 22A (Ta), 35A (Tc) 5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
40 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6594.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
22A (Ta), 35A (Tc)
7mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
1037 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
-
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
5W (Ta), 39W (Tc)

AON6594, представленный компанией Alpha & Omega Semiconductor, является MOSFET-транзистором с типом управляющего канала N-канальным (N-Channel). MOSFET-транзисторы широко используются в электронных устройствах и системах для управления сигналами и мощностью.
Некоторые основные характеристики AON6594:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 39 Вт. Эта характеристика указывает на максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и пропускать ток между стоком и истоком.
5. Максимальный ток стока (|Id|): 35 А. Это максимальный ток, который транзистор может пропускать между стоком и истоком при заданных условиях.
6. Максимальная рабочая температура стыка (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без повреждений.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4148,143
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2, Diode Standard 100 V 200mA (DC) Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: 1236-12-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: 1437-12-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: STP26NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB, N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BZX79C7V5
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35, Zener Diode 7.5 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: BD243B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 6A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 6 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее