г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6764 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6764
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN, N-Channel 30 V 85A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
85A (Tc)
2.8mOhm @ 20A, 10V
1.9V @ 250µA
37 nC @ 1 V
2120 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerSMD, Flat Leads
42W (Tc)

AON6764 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N. Он изготовлен компанией Alpha & Omega Semiconductor и упакован в корпус типа DFN5X6.
Вот некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 Вт. Это означает, что транзистор способен расеивать до 42 Вт энергии без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.9 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и проводить ток от истока к стоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный постоянный ток, который можно пропустить через транзистор между истоком и стоком.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Эти характеристики могут быть полезны при проектировании и расчете схем, где используется MOSFET транзистор AON6764.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPP100N06S2L05AKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3, N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: CSD23280F3
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR, P-Channel 12 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
Подробнее
Артикул: CE3514M4-C2
Бренд: CEL
Описание: RF MOSFET PHEMT FET 2V, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 15 mA 12GHz 12.2dB 125mW 4-Super Mini Mold
Подробнее
Артикул: 2SA2013-TD-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 50V 4A PCP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3.5 W Surface Mount PCP
Подробнее
Артикул: 1N4148,143
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2, Diode Standard 100 V 200mA (DC) Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: 1498-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее