г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6764 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6764
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN, N-Channel 30 V 85A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
85A (Tc)
2.8mOhm @ 20A, 10V
1.9V @ 250µA
37 nC @ 1 V
2120 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerSMD, Flat Leads
42W (Tc)

AON6764 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N. Он изготовлен компанией Alpha & Omega Semiconductor и упакован в корпус типа DFN5X6.
Вот некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 Вт. Это означает, что транзистор способен расеивать до 42 Вт энергии без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.9 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и проводить ток от истока к стоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный постоянный ток, который можно пропустить через транзистор между истоком и стоком.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Эти характеристики могут быть полезны при проектировании и расчете схем, где используется MOSFET транзистор AON6764.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQP85N06
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8, N-Channel 60 V 85A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 0876-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS5/16HD X, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 0667-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS5/8HD X, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: STW12N120K5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247, N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BC517ZL1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: FGH20N60SFDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3, IGBT Field Stop 600 V 40 A 165 W Through Hole TO-247-3
Подробнее