г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6764 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6764
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN, N-Channel 30 V 85A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
85A (Tc)
2.8mOhm @ 20A, 10V
1.9V @ 250µA
37 nC @ 1 V
2120 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerSMD, Flat Leads
42W (Tc)

AON6764 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N. Он изготовлен компанией Alpha & Omega Semiconductor и упакован в корпус типа DFN5X6.
Вот некоторые характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 Вт. Это означает, что транзистор способен расеивать до 42 Вт энергии без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 В. Это максимальное напряжение, которое можно применять между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 1.9 В. Это напряжение, при котором транзистор начинает открываться и проводить ток от истока к стоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальный постоянный ток, который можно пропустить через транзистор между истоком и стоком.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная рабочая температура транзистора.
Эти характеристики могут быть полезны при проектировании и расчете схем, где используется MOSFET транзистор AON6764.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ZVN3310A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3, N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 6911-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN BRASS9/32HD, #6-32 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Brass
Подробнее
Артикул: RS2MA-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA, Diode Standard 1000 V 1.5A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: MRF1518NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5, RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 520MHz 13dB 8W PLD-1.5
Подробнее
Артикул: 8TQ100S
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: 8A, 100V, D2PAK, SCHOTTKY RECTIF, Diode Schottky 100 V 8A Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: MBRF30200CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V - Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее