г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6774 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6774
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN, N-Channel 30 V 44A (Ta), 85A (Tc) 6.2W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6774.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
44A (Ta), 85A (Tc)
2.05mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
60 nC @ 10 V
3000 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1672-6,785-1672-2,785-1672-1
AlphaMOS
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
6.2W (Ta), 48W (Tc)

AON6774 относится к типу транзистора MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Это N-канальный MOSFET, что означает, что управление каналом осуществляется с помощью напряжения на входе, и текущий поток идет от дренажа к истоку. Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Ниже приведены основные технические характеристики данного транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 48 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может поглотить без превышения допустимой температуры.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором начинается управление проводимостью канала.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 85 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор.
Транзистор AON6774 может использоваться в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление током и напряжением. Обычно MOSFET-транзисторы применяются в источниках питания, преобразователях, усилителях и других схемах, где необходимо управление мощностью и коммутация электрических сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDY3000NZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 446mW Surface Mount SOT-563F
Подробнее
Артикул: MPSW63
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 1 W Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: PG160-1
Бренд: Souriau
Описание: PG GAGE,
Подробнее
Артикул: 170-ACS
Бренд: Century Spring
Описание: EXT O= .219,L= 1.50,W= .023,
Подробнее
Артикул: MBR745
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RECTIFIER, SCHOTTKY, 7.5A, 45V,, Diode Schottky 45 V 7.5A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: FDS9933A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее