г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6774 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6774
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN, N-Channel 30 V 44A (Ta), 85A (Tc) 6.2W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6774.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
44A (Ta), 85A (Tc)
2.05mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
60 nC @ 10 V
3000 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1672-6,785-1672-2,785-1672-1
AlphaMOS
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
6.2W (Ta), 48W (Tc)

AON6774 относится к типу транзистора MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Это N-канальный MOSFET, что означает, что управление каналом осуществляется с помощью напряжения на входе, и текущий поток идет от дренажа к истоку. Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Ниже приведены основные технические характеристики данного транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 48 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может поглотить без превышения допустимой температуры.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором начинается управление проводимостью канала.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 85 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор.
Транзистор AON6774 может использоваться в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление током и напряжением. Обычно MOSFET-транзисторы применяются в источниках питания, преобразователях, усилителях и других схемах, где необходимо управление мощностью и коммутация электрических сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SA1493
Бренд: Sanken
Описание: TRANS PNP 200V 15A MT200, Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 15 A 20MHz 150 W Through Hole MT-200
Подробнее
Артикул: 1N5228B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.9V 500MW, Zener Diode 3.9 V 500 mW ±5% Through Hole
Подробнее
Артикул: MBR1100
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL, Diode Schottky 100 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IXTK200N10P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 100V 200A TO264, N-Channel 100 V 200A (Tc) 800W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Подробнее
Артикул: 1270-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: SI4056DY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO, N-Channel 100 V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее