г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6774 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6774
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN, N-Channel 30 V 44A (Ta), 85A (Tc) 6.2W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6774.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
44A (Ta), 85A (Tc)
2.05mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
60 nC @ 10 V
3000 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
785-1672-6,785-1672-2,785-1672-1
AlphaMOS
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
6.2W (Ta), 48W (Tc)

AON6774 относится к типу транзистора MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Это N-канальный MOSFET, что означает, что управление каналом осуществляется с помощью напряжения на входе, и текущий поток идет от дренажа к истоку. Этот транзистор производится компанией Alpha & Omega Semiconductor.
Ниже приведены основные технические характеристики данного транзистора:
1. Максимальная потеря мощности (Pd): 48 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может поглотить без превышения допустимой температуры.
2. Максимальное напряжение стока-исток (|Vds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (|Vgs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, при котором начинается управление проводимостью канала.
5. Максимальный дренажный ток (|Id|): 85 А. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор.
Транзистор AON6774 может использоваться в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление током и напряжением. Обычно MOSFET-транзисторы применяются в источниках питания, преобразователях, усилителях и других схемах, где необходимо управление мощностью и коммутация электрических сигналов.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CM100DU-24F
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 500W, IGBT Module Trench Half Bridge 1200 V 100 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: MRFE6VP100HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4, RF Mosfet LDMOS 50 V 100 mA 512MHz 26dB 100W NI-780-4
Подробнее
Артикул: 1442-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: 7169-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN BRASS3/16HD X 1, #8-32 Knob Thumb Screw - Drive Brass
Подробнее
Артикул: 1167-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: GBPC1206W-E4/51
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 600V 12A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBPC-W
Подробнее