г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6780 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6780
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 30A/85A 8DFN, N-Channel 30 V 30A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
582 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON6780.jpg
N-Channel
Schottky Diode (Body)
30 V
30A (Ta), 85A (Tc)
1.7mOhm @ 20A, 10V
2V @ 250µA
76 nC @ 10 V
9600 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±12V
MOSFET (Metal Oxide)
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, Flat Leads
SRFET™
Tape & Reel (TR)
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.5W (Ta), 83W (Tc)

AON6780 является MOSFET транзистором типа N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус типа DFN5X6.
Ниже представлены основные характеристики этого транзистора:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать, чтобы избежать повреждений.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это предельное значение напряжения между стоком и истоком транзистора, которое не должно быть превышено для сохранения его нормальной работы.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 12 В. Это предельное значение напряжения между затвором и истоком транзистора, которое не должно быть превышено.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2 В. Это минимальное напряжение между затвором и истоком, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 85 А. Это максимальное значение постоянного тока, который может протекать через сток-исток транзистора.
Эти характеристики определяют спецификации и возможности транзистора AON6780 MOSFET и могут использоваться для различных приложений, включая усилители, источники питания, преобразователи и другие электронные устройства.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SPB10N10L G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: SW-528
Бренд: WEC
Описание: PRINTED CIRCUIT BOARD TRANSFORME,
Подробнее
Артикул: DSEP2X60-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE MODULE 1.2KV 60A SOT227B, Diode Array 2 Independent Standard 1200 V 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Подробнее
Артикул: IXFQ50N60P3
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 600V 50A TO3P, N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 2BZX84C20
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: ZENER SOT-23 20V 0.3W 5%, Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 20 V 300 mW ±5% SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: VUO16012NO7
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 175A PWS-E1, Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.2 kV Chassis Mount PWS-E
Подробнее