г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6992 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6992
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 31A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON6992.jpg
8-PowerWDFN
8-DFN (5x6)
3.1W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Logic Level Gate
30V
19A, 31A
5.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13nC @ 10V
785-1747-2,785-1747-1,AON6992-ND,785-1747-6
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
820pF @ 15V

AON6992 является MOSFET-транзистором типа N-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус типа DFN5X6D.
Ниже приведены основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 50 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Время нарастания (tr): 11 нс. Это время, за которое сигнал на выходе транзистора может переходить от одного уровня к другому.
7. Выходная емкость (Cd): 340 пФ. Это емкость между стоком и затвором транзистора.
8. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ом. Это сопротивление, которое представляет транзистор в открытом состоянии.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронике, особенно в схемах усиления, коммутации и управления. Они обладают хорошей электрической производительностью и низкими потерями мощности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF5810TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: 2022-256-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX STANDOFFPLAIN STEEL1/8 HEX X, Hex Standoff Threaded #2-56 Steel 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: GBJ1510
Бренд: MDD
Описание: RECTIFIER BRIDGE 15A 1000V GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: ESC-100D
Бренд: Quatech-Division
Описание: SERIAL PCI BOARD 8 PORT DB-25, Adapter Cards
Подробнее
Артикул: ZTX696B
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 500 mA 70MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: 1484-10-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/8 HEX X 2, Hex Spacer Unthreaded - Brass 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее