г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6992 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6992
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 31A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON6992.jpg
8-PowerWDFN
8-DFN (5x6)
3.1W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Logic Level Gate
30V
19A, 31A
5.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13nC @ 10V
785-1747-2,785-1747-1,AON6992-ND,785-1747-6
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
820pF @ 15V

AON6992 является MOSFET-транзистором типа N-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус типа DFN5X6D.
Ниже приведены основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 50 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Время нарастания (tr): 11 нс. Это время, за которое сигнал на выходе транзистора может переходить от одного уровня к другому.
7. Выходная емкость (Cd): 340 пФ. Это емкость между стоком и затвором транзистора.
8. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ом. Это сопротивление, которое представляет транзистор в открытом состоянии.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронике, особенно в схемах усиления, коммутации и управления. Они обладают хорошей электрической производительностью и низкими потерями мощности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 10CTQ150
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 5A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: ZLLS1000TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1.16A SOT23-3, Diode Schottky 40 V 1.16A (DC) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: NS-03-15
Бренд: Essentra Components
Описание: NON THREADED SPACER - PLASTIC,NS, Round Spacer Unthreaded - Nylon Natural
Подробнее
Артикул: BZX84C4V3
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23-3, Zener Diode 4.3 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N4736A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 6.8 V 1W DO-41G, Zener Diode 6.8 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: MSP-7-AN
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 7 MM ANO ALUM SHAFT COLLAR,
Подробнее