г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6992 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6992
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 31A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON6992.jpg
8-PowerWDFN
8-DFN (5x6)
3.1W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Logic Level Gate
30V
19A, 31A
5.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13nC @ 10V
785-1747-2,785-1747-1,AON6992-ND,785-1747-6
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
820pF @ 15V

AON6992 является MOSFET-транзистором типа N-канал. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и упаковывается в корпус типа DFN5X6D.
Ниже приведены основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В. Это напряжение, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 50 А. Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
6. Время нарастания (tr): 11 нс. Это время, за которое сигнал на выходе транзистора может переходить от одного уровня к другому.
7. Выходная емкость (Cd): 340 пФ. Это емкость между стоком и затвором транзистора.
8. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ом. Это сопротивление, которое представляет транзистор в открытом состоянии.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронике, особенно в схемах усиления, коммутации и управления. Они обладают хорошей электрической производительностью и низкими потерями мощности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STPSC8H065G-TR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 8A Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: PD55008L-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT, RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 500MHz 19dB 8W PowerFLAT™ (5x5)
Подробнее
Артикул: IRFS4310TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1111-4-B-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNICKEL 3/16 RD X 3/8, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: 2N5462
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 40V 0.35W TO92, JFET P-Channel 40 V 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: MBR2050CT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 50 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее