г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6996 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6996
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 50A, 60A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON6996.jpg
8-DFN (5x6)
3.1W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Standard
30V
50A, 60A
5.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13nC @ 10V
8-PowerSMD, Flat Leads
-55°C ~ 150°C (TJ)
3,000
-
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
820pF @ 15V

AON6996 представляет собой MOSFET транзистор типа N. MOSFET (Металл-Оксид-Полупроводниковый Транзистор) - это полевой транзистор, используемый для управления и усиления электрических сигналов. Он широко применяется в электронных устройствах и схемах.
Вот некоторые характеристики AON6996:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 В. Это минимальное напряжение затвора, необходимое для активации транзистора и начала проводимости от стока к истоку.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 А. Это максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор от стока к истоку.
AON6996 предоставляет определенные характеристики и параметры, которые позволяют его использовать в различных электронных схемах и приложениях, где требуется MOSFET транзистор с подобными характеристиками.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPW65R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: NTD14N03R
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK, N-Channel 25 V 2.5A (Ta) 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MJ10012
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 175 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: AFT05MS003NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: IC TRANS RF LDMOS, RF Mosfet LDMOS 7.5 V 100 mA 520MHz 20.8dB 3W SOT-89A
Подробнее
Артикул: 007-SF5
Бренд: Taco
Описание: 3/4" - 1-1/2" FLGD SS PUMP 1/25H,
Подробнее
Артикул: BZT52-C6V8,115
Бренд: Nexperia
Описание: BZT52-C6V8 - SINGLE ZENER DIODE,, Zener Diode
Подробнее