г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6998 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6998
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON6998.jpg
8-PowerWDFN
8-DFN (5x6)
3.1W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Standard
30V
19A, 26A
5.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13nC @ 10V
785-1749-2,785-1749-1,785-1749-6
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
820pF @ 15V

AON6998 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N, производства компании Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор с изоляцией по типу металл-оксид-полупроводник.
Основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 Вт - Это максимальное значение мощности, которое транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В - Это максимальное значение напряжения между стоком (Drain) и истоком (Source), которое транзистор может выдерживать.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В - Это максимальное значение напряжения между затвором (Gate) и истоком (Source), которое транзистор может выдерживать.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В - Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 50 А - Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток при заданных условиях.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронных устройствах для управления и переключения сигналов и электрических нагрузок.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CSD19538Q3A
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON, N-Channel 100 V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
Подробнее
Артикул: SM4006
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD MELF 800V 1A, Diode Standard 800 V 1A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: STS10PF30L
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO, P-Channel 30 V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: RB751S40
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F, Diode Schottky 40 V 30mA Surface Mount SOD-523F
Подробнее
Артикул: MMBTA28
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 0.8A SSOT3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 800 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BHF-10
Бренд: Essentra Components
Описание: BARBED FASTENER 1.134" NYLON BLK, - Barbed Fastener 0.475" ~ 0.875" (12.07mm ~ 22.22mm) Grip Range Nylon
Подробнее