г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6998 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6998
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON6998.jpg
8-PowerWDFN
8-DFN (5x6)
3.1W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Standard
30V
19A, 26A
5.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13nC @ 10V
785-1749-2,785-1749-1,785-1749-6
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
820pF @ 15V

AON6998 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N, производства компании Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор с изоляцией по типу металл-оксид-полупроводник.
Основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 Вт - Это максимальное значение мощности, которое транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В - Это максимальное значение напряжения между стоком (Drain) и истоком (Source), которое транзистор может выдерживать.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В - Это максимальное значение напряжения между затвором (Gate) и истоком (Source), которое транзистор может выдерживать.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В - Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 50 А - Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток при заданных условиях.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронных устройствах для управления и переключения сигналов и электрических нагрузок.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FGP20N60UFDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 40A 165W TO220, IGBT Field Stop 600 V 40 A 165 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: ZTX696B
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 500 mA 70MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: FLZ22VC
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 21.7V 500MW SOD80, Zener Diode 21.7 V 500 mW ±3% Surface Mount SOD-80
Подробнее
Артикул: MMBT3904LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRFD220PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP, N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: STPS1L60A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount SMA (DO-214AC)
Подробнее