г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON6998 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON6998
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/AON6998.jpg
8-PowerWDFN
8-DFN (5x6)
3.1W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Standard
30V
19A, 26A
5.2mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13nC @ 10V
785-1749-2,785-1749-1,785-1749-6
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3,000
820pF @ 15V

AON6998 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N, производства компании Alpha & Omega Semiconductor. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) - это полевой транзистор с изоляцией по типу металл-оксид-полупроводник.
Основные характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 Вт - Это максимальное значение мощности, которое транзистор может рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В - Это максимальное значение напряжения между стоком (Drain) и истоком (Source), которое транзистор может выдерживать.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В - Это максимальное значение напряжения между затвором (Gate) и истоком (Source), которое транзистор может выдерживать.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.2 В - Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 50 А - Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток-исток при заданных условиях.
Транзисторы MOSFET широко используются в электронных устройствах для управления и переключения сигналов и электрических нагрузок.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4006RLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL, Diode Standard 800 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 0502-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS1/2HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: BYG10J
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 600V, 1.5A, Diode Avalanche 600 V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: FDS6812A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: STD20NF06LAG
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK, N-Channel 60 V 24A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Подробнее
Артикул: 1N4002G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 1A 100V DO-41, Diode Standard 100 V 1A (DC) Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее