г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7200 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7200
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN, N-Channel 30 V 15.8A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7200.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
15.8A (Ta), 40A (Tc)
8mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
1300 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1374-1,785-1374-2,785-1374-6
3.1W (Ta), 62W (Tc)

AON7200 представляет собой MOSFET транзистор с полярностью N, который производится компанией Alpha & Omega Semiconductor. Данный транзистор имеет следующие технические характеристики:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 Вт - это максимальная мощность, которую транзистор может безопасно рассеивать в виде тепла.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 30 В - это максимальное разрешенное напряжение между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В - это максимальное разрешенное напряжение между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 В - это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 40 А - это максимальный ток, который может протекать через сток-исток транзистора.
Транзистор AON7200 может быть использован в различных электронных устройствах, включая усилители, источники питания, светодиодные приводы и другие системы, где требуется управление током и напряжением.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MURA120T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA, Diode Standard 200 V 1A (DC) Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: RBV606
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: BRIGDE RECTIFIER 6A 600V, CASE T, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole RBV-25
Подробнее
Артикул: V2PM10HM3/H
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 2A MICROSMP, Diode Schottky 100 V 2A Surface Mount MicroSMP (DO-219AD)
Подробнее
Артикул: IXTA200N055T2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 55V 200A TO263, N-Channel 55 V 200A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Подробнее
Артикул: 1269-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM5/8 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: 1242-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.813" (46.04mm) -
Подробнее