г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7202 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7202
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7202.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
30 V
20A (Ta), 40A (Tc)
5mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
2200 pF @ 15 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1375-1,785-1375-2,785-1375-6
3.1W (Ta), 36W (Tc)

AON7202 представляет собой MOSFET-транзистор, который относится к типу N-канальных MOSFET. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и поставляется в корпусе типа DFN3X3.
Некоторые основные технические характеристики этого транзистора включают:
1. Максимальную рассеиваемую мощность (Pd) равную 36 Вт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может эффективно рассеивать без перегрева.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|) составляет 30 В. Это значение описывает максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|) равно 20 В. Оно указывает на максимальное напряжение, которое можно применить между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|) имеет значение 2.3 В. Это значение определяет напряжение, которое необходимо приложить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток между стоком и истоком.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|) составляет 40 А. Это значение указывает на максимальный постоянный ток, который может протекать через сток и исток транзистора.
Эти характеристики важны для оценки и применения транзистора AON7202 в различных электронных схемах и приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDP2532
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3, N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDMC7570S
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, N-Channel 25 V 27A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount Power33
Подробнее
Артикул: VS-31DQ10TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16, Diode Schottky 100 V 3.3A Through Hole C-16
Подробнее
Артикул: 1193-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: SPP18P06PHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: 2N3442
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее