г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AON7264E Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AON7264E
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN, N-Channel 60 V 28A (Tc) 27.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Цена
47 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AON7264E.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
28A (Tc)
9.5mOhm @ 17A, 10V
2.4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
1100 pF @ 30 V
4.5V, 10V
±20V
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
-55°C ~ 150°C (TJ)
AlphaSGT™
Tape & Reel (TR)
Active
Surface Mount
AON7264
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
27.5W (Tc)

AON7264E является MOSFET-транзистором с полярностью N. Он производится компанией Alpha & Omega Semiconductor и имеет тип корпуса DFN3X3EP.
Некоторые характеристики этого транзистора включают:
1. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.5 Вт. Это означает, что транзистор может безопасно рассеивать до 27.5 Вт тепла при нормальных условиях работы.
2. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между стоком и истоком транзистора.
3. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и истоком транзистора.
4. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.4 В. Это напряжение необходимо приложить между затвором и истоком, чтобы транзистор начал проводить ток.
5. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 28 А. Это максимальный ток, который может протекать через сток источника транзистора.
6. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это максимальная температура, которую может выдержать канал транзистора без повреждения.
Транзистор AON7264E предназначен для использования в различных электронных устройствах и схемах, где требуется управление высокими токами и напряжениями. Он может быть использован в силовых источниках, инверторах, электронных ключах и других подобных приложениях.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQPF50N06
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 31A TO220F, N-Channel 60 V 31A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: ZHCS500TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 500mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: VS-16TTS12-M3
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 1.2KV 16A TO220AB, SCR 1.2 kV 16 A Standard Recovery Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NTS4173PT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3, P-Channel 30 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: MP358W
Бренд: Rectron
Описание: BRIDGE REC GLASS 800V 35A MP-35W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole MP-25W
Подробнее
Артикул: CER ENG KIT 29
Бренд: KEMET
Описание: CAP KIT CERAMIC 10PF-10UF 1500PC, Ceramic Capacitor Kit 10pF ~ 10µF 6.3 ~ 100V Surface Mount, MLCC 1500 Pieces (30 Values - 50 Each)
Подробнее